SiLM6201是一款集成了功率MOS对管(guǎn)的推(tuī)挽(wǎn)电源控制(zhì)器(qì)。内部(bù)功率MOS管(guǎn)的驱动对称程度高,从而减小推挽拓(tuò)扑的偏(piān)磁程度。
该(gāi)芯片(piàn)还集成了(le)三(sān)项提高可靠性的关键技术,第一是软启动(dòng)功能(néng),避免开机时大电流(liú)的冲(chōng)击而损坏(huài)器(qì)件(jiàn),并且(qiě)保证在CC负载(zǎi)模式下(xià)带(dài)满载正(zhèng)常启动;第二是集成了输出短路保护,该保护一(yī)致性好,不受电源加工时参数偏差的影响,也不受高低温测试条件的(de)影响;第三是过(guò)温保护,超出规定(dìng)的温度范围时,芯片自动进入休眠状(zhuàng)态,若(ruò)温度再(zài)次降低到设(shè)定值(zhí)时可自动恢复。
输(shū)入引脚(jiǎo)耐压高达(dá)25V
内置功率MOS对管
MOS驱动高度对称(chēng)
内(nèi)置软启动(dòng)
输出短路保护
过(guò)温保护(hù)
400 080 9938